2 Vishay パワーMOSFET 分離式, タイプNチャンネル, 20 A, 表面 40 V, 8-Pin エンハンスメント型 パッケージSO-8
- RS品番:
- 919-4334
- メーカー型番:
- SI7288DP-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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|---|---|---|
| 3000 - 3000 | ￥91.205 | ￥273,615 |
| 6000 - 27000 | ￥89.863 | ￥269,589 |
| 30000 - 42000 | ￥88.522 | ￥265,566 |
| 45000 - 57000 | ￥87.181 | ￥261,543 |
| 60000 + | ￥85.84 | ￥257,520 |
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- RS品番:
- 919-4334
- メーカー型番:
- SI7288DP-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | パワーMOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 20A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 40V | |
| パッケージ型式 | SO-8 | |
| シリーズ | TrenchFET | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 22mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 15.6W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 10nC | |
| 動作温度 Min | 150°C | |
| トランジスタ構成 | 分離式 | |
| 動作温度 Max | -55°C | |
| 高さ | 1.07mm | |
| 幅 | 5 mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 5.99mm | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 2 | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ パワーMOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 20A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 40V | ||
パッケージ型式 SO-8 | ||
シリーズ TrenchFET | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 22mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 15.6W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 10nC | ||
動作温度 Min 150°C | ||
トランジスタ構成 分離式 | ||
動作温度 Max -55°C | ||
高さ 1.07mm | ||
幅 5 mm | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 5.99mm | ||
1チップ当たりのエレメント数 2 | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- CN