2 Vishay パワーMOSFET 分離式, タイプNチャンネル, 20 A, 表面 40 V, 8-Pin エンハンスメント型 パッケージSO-8

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール3000個入り) 小計：*

￥293,205.00

(税抜)

￥322,524.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫限り
  • 9,000 は海外在庫あり（最終在庫）
個
単価
購入単位毎合計*
3000 - 3000￥97.735￥293,205
6000 - 27000￥96.297￥288,891
30000 - 42000￥94.86￥284,580
45000 - 57000￥93.423￥280,269
60000 +￥91.986￥275,958

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
919-4334
メーカー型番:
SI7288DP-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

最大連続ドレイン電流Id

20A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

パッケージ型式

SO-8

シリーズ

TrenchFET

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

22mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

150°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

15.6W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

10nC

トランジスタ構成

分離式

動作温度 Max

-55°C

規格 / 承認

No

長さ

5.99mm

幅

5 mm

高さ

1.07mm

1チップ当たりのエレメント数

2

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN

デュアルNチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor


MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor


関連ページ