Vishay Nチャンネル MOSFET40 V 20 A 表面実装 パッケージPowerPAK SO-8 8 ピン
- RS品番:
- 919-4334
- メーカー型番:
- SI7288DP-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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単価： 購入単位は3000 個
￥105.999
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(税込)
| 個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
| 3000 - 3000 | ￥105.999 | ￥317,997.00 |
| 6000 - 27000 | ￥102.835 | ￥308,505.00 |
| 30000 - 42000 | ￥97.35 | ￥292,050.00 |
| 45000 - 57000 | ￥94.608 | ￥283,824.00 |
| 60000 + | ￥91.866 | ￥275,598.00 |
| * 購入単位ごとの価格 | ||
- RS品番:
- 919-4334
- メーカー型番:
- SI7288DP-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
その他
- COO（原産国）:
- CN
詳細情報
デュアルNチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | N |
| 最大連続ドレイン電流 | 20 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 40 V |
| パッケージタイプ | PowerPAK SO-8 |
| 実装タイプ | 表面実装 |
| ピン数 | 8 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 22 mΩ |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 |
| 最低ゲートしきい値電圧 | 1.2V |
| 最大パワー消費 | 15.6 W |
| トランジスタ構成 | 絶縁型 |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -20 V, +20 V |
| 長さ | 5.99mm |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 2 |
| トランジスタ素材 | Si |
| 幅 | 5mm |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 10 nC @ 10 V |
| 動作温度 Max | +150 °C |
| 高さ | 1.07mm |
| 動作温度 Min | -55 °C |
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