2 Vishay パワーMOSFET 分離式, タイプNチャンネル, 20 A, 表面 40 V, 8-Pin エンハンスメント型 パッケージSO-8

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RS品番:
919-4334
メーカー型番:
SI7288DP-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

最大連続ドレイン電流Id

20A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

パッケージ型式

SO-8

シリーズ

TrenchFET

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

22mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

10nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

15.6W

動作温度 Min

150°C

動作温度 Max

-55°C

トランジスタ構成

分離式

高さ

1.07mm

長さ

5.99mm

規格 / 承認

No

幅

5 mm

1チップ当たりのエレメント数

2

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN

デュアルNチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor


MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor


受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。


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