Vishay MOSFET, タイプPチャンネル 30 V, 6.2 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSOIC, SQ4431EY-T1_GE3

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梱包形態
RS品番:
819-3920
メーカー型番:
SQ4431EY-T1_GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプP

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

6.2A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

パッケージ型式

SOIC

シリーズ

SQ Rugged

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

52mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

25nC

順方向電圧 Vf

-1.1V

最大許容損失Pd

6W

動作温度 Max

175°C

長さ

5mm

高さ

1.55mm

幅

4 mm

規格 / 承認

No

自動車規格

AEC-Q101

COO（原産国）:
CN

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。


PチャンネルMOSFET、SQ高耐久性シリーズ、Vishay Semiconductor


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