型番

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 12 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSOIC, SQ4850EY-T1_GE3

RS品番:: 819-3923
メーカー型番:: SQ4850EY-T1_GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 12 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSOIC, SQ4850EY-T1_GE3

ボリュームディスカウント対象商品

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個	単価	購入単位毎合計*
20 - 100	￥196.80	￥3,936
120 - 1180	￥177.85	￥3,557
1200 - 1580	￥158.75	￥3,175
1600 - 1980	￥139.75	￥2,795
2000 +	￥120.75	￥2,415

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RS品番:: 819-3923
メーカー型番:: SQ4850EY-T1_GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

データシート

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	12A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	60V
	パッケージ型式	SOIC
	シリーズ	SQ Rugged
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	47mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	動作温度 Min	-55°C
	最大許容損失Pd	6.8W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	20nC
	最大ゲートソース電圧Vgs	±20 V
	順方向電圧 Vf	1.2V
	動作温度 Max	175°C
	高さ	1.55mm
	規格 / 承認	No
	長さ	5mm
	幅	4 mm
	自動車規格	AEC-Q101

	すべて選択
	ブランド Vishay
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 12A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V
	パッケージ型式 SOIC
	シリーズ SQ Rugged
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 47mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	動作温度 Min -55°C
	最大許容損失Pd 6.8W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 20nC
	最大ゲートソース電圧Vgs ±20 V
	順方向電圧 Vf 1.2V
	動作温度 Max 175°C
	高さ 1.55mm
	規格 / 承認 No
	長さ 5mm
	幅 4 mm
	自動車規格 AEC-Q101

COO（原産国）:: CN

NチャンネルMOSFET、車載用SQ高耐久性シリーズ、Vishay Semiconductor

Vishay SemiconductorのMOSFET SQシリーズは、高い耐久性と信頼性を必要とするすべての車載用途に対応した設計です。

SQ高耐久性シリーズMOSFETの利点

• AEC-Q101認定

• ジャンクション温度: 最高+175 °C

• 低オン抵抗n / pチャンネルTrenchFET®技術

• 画期的な省スペースのパッケージオプション

MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

Approvals

AEC-Q101