2 Vishay MOSFET 分離式, タイプNチャンネル, 8 A, 表面 30 V, 8-Pin エンハンスメント型, SQ4920EY-T1_GE3 パッケージSOIC

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梱包形態
RS品番:
787-9462
メーカー型番:
SQ4920EY-T1_GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

8A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

シリーズ

TrenchFET

パッケージ型式

SOIC

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

17.5mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

4.4W

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

±20 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

19.7nC

順方向電圧 Vf

0.75V

動作温度 Max

175°C

トランジスタ構成

分離式

規格 / 承認

No

長さ

5mm

高さ

1.5mm

幅

4 mm

1チップ当たりのエレメント数

2

自動車規格

AEC-Q101

デュアルNチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor


MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor


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