型番

2 Vishay MOSFET 分離式, タイプNチャンネル, 8 A, 表面 30 V, 8-Pin エンハンスメント型, SQ4920EY-T1_GE3 パッケージSOIC

RS品番:: 787-9462
メーカー型番:: SQ4920EY-T1_GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

2 Vishay MOSFET 分離式, タイプNチャンネル, 8 A, 表面 30 V, 8-Pin エンハンスメント型, SQ4920EY-T1_GE3 パッケージSOIC

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125 - 1195	￥338.40	￥1,692
1200 - 1595	￥291.00	￥1,455
1600 - 1995	￥241.40	￥1,207
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RS品番:: 787-9462
メーカー型番:: SQ4920EY-T1_GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	チャンネルタイプ	タイプN
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	8A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	30V
	パッケージ型式	SOIC
	シリーズ	TrenchFET
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	17.5mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	19.7nC
	動作温度 Min	-55°C
	最大許容損失Pd	4.4W
	順方向電圧 Vf	0.75V
	動作温度 Max	175°C
	トランジスタ構成	分離式
	規格 / 承認	No
	長さ	5mm
	高さ	1.5mm
	1チップ当たりのエレメント数	2
	自動車規格	AEC-Q101

	すべて選択
	ブランド Vishay
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 8A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V
	パッケージ型式 SOIC
	シリーズ TrenchFET
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 17.5mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 19.7nC
	動作温度 Min -55°C
	最大許容損失Pd 4.4W
	順方向電圧 Vf 0.75V
	動作温度 Max 175°C
	トランジスタ構成分離式
	規格 / 承認 No
	長さ 5mm
	高さ 1.5mm
	1チップ当たりのエレメント数 2
	自動車規格 AEC-Q101

2 Vishay MOSFET 分離式, タイプNチャンネル, 8 A, 表面 30 V, 8-Pin エンハンスメント型, SQ4920EY-T1_GE3 パッケージSOIC

3,000円を超える注文については、送料無料

デュアルNチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor

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