Vishay MOSFET, タイプPチャンネル 30 V, 7.2 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSOIC, SI4431CDY-T1-GE3

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋20個入り) 小計：*

￥2,208.00

(税抜)

￥2,428.80

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 200 は海外在庫あり
  • 660 は 2026年1月05日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
20 - 100￥110.40￥2,208
120 - 1180￥103.75￥2,075
1200 - 1580￥98.40￥1,968
1600 - 1980￥93.10￥1,862
2000 +￥87.75￥1,755

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
812-3215
メーカー型番:
SI4431CDY-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプP

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

7.2A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

パッケージ型式

SOIC

シリーズ

Si4431CDY

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

49mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

4.2W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

-0.71V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

25nC

動作温度 Max

150°C

高さ

1.55mm

規格 / 承認

No

長さ

5mm

幅

4 mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。


PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor


MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor


関連ページ