Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 90 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252, IPD90N03S4L02ATMA1

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RS品番:
825-9398
メーカー型番:
IPD90N03S4L02ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

90A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

シリーズ

OptiMOS-T2

パッケージ型式

TO-252

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

2.6mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

110nC

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

0.9V

最大ゲートソース電圧Vgs

16 V

最大許容損失Pd

136W

動作温度 Max

175°C

長さ

6.5mm

幅

6.22 mm

規格 / 承認

No

高さ

2.3mm

自動車規格

AEC-Q101

Infineon OptiMOS™ T2パワーMOSFET


Infineonの新しいOptiMOS ™ -T2は、CO2削減機能と電気ドライブを備えた省エネMOSFETトランジスタシリーズです。 この新しいOptiMOS™ -T2製品ファミリは、既存のOptiMOS™ -T及びOptiMOS™の拡張ファミリです。

OptiMOS™製品は、極めて厳しい用途にも対応する高性能パッケージに収納され、限られたスペースに最大限の柔軟性をもたらします。 これらのInfineon製品は、コンピュータ用途における次世代電圧標準のエネルギー効率及び電力密度要件を満たすだけなく、それを超える性能を発揮します。

Nチャンネル - 強化モード

AEC認定

MSL1、最大260 °Cピークのリフロー

175 °Cの動作温度

環境配慮製品(RoHS対応)

MOSFETトランジスタ、Infineon


Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。

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