Infineon MOSFET, Nチャンネル, 40 V, 90 A, 3.2 mΩ, 51 nC, 3ピン, パッケージ:TO-252

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梱包形態
RS品番:
214-9055
メーカー型番:
IPD90N04S403ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

N

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

90A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

シリーズ

OptiMOS-T2

パッケージ型式

TO-252

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

3.2mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1.3V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

51nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

最大許容損失Pd

94W

動作温度 Max

175°C

幅

6.22mm

長さ

6.5mm

規格 / 承認

No

高さ

2.3mm

自動車規格

AEC-Q101

Infineon OptiMOS-T2シリーズMOSFET、最大ドレインソース電圧40 V、最大連続ドレイン電流90 A - IPD90N04S403ATMA1


このMOSFETは、要求の厳しい環境での電力スイッチングと変換用に設計された表面実装Nチャンネル強化デバイスです。広い温度範囲で動作し、高い連続ドレイン電流をサポートしているため、自動車および産業環境の熱および電気的ストレス条件に適しています。

特長:


• 最大ドレイン・ソース電圧40Vにより、堅牢な低電圧電力段階を実現
• 90Aの連続ドレイン電流により、高電流供給をサポート
• 最大Rds(on) 3.2mΩにより、負荷時の伝導損失を最小限に抑制
• 94Wの最大消費電力により、大幅な熱処理を実現
• 51nCの標準ゲート電荷により、予測可能なスイッチング動作を実現
• 最大ゲート-ソース電圧20Vでゲート絶縁マージンを維持

用途


• 車両のDC-DCコンバータ電力段に最適
• 自動車システムの高電流負荷スイッチングに最適
• コンパクトな電源デバイスを必要とする表面実装アセンブリで使用
• コンバータの同期整流に使用可能
• 幅広い温度にさらされる耐熱性のあるパワーステージに使用

動作中にどのような環境範囲に耐えられますか?


定格動作温度は-55°C~175°Cで、幅広い耐熱性を備えています。

基板実装にはどのようなパッケージタイプが使用されますか?


表面実装用途向けのTO-252パッケージで提供されます。

このデバイスは、どのくらいの電気接続を提供しますか?


標準ドレイン、ゲート、ソース接続用の3ピンを備えています。

チャンネルの極性と動作モードは何ですか?


このデバイスはNタイプチャンネルを使用し、エンハンスメントモードで動作します。

導通時にはどのような順方向電圧が期待できますか?


導通特性において、順方向電圧は1.3Vで指定されています。

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