Infineon MOSFET, タイプPチャンネル 60 V, 9.7 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252, SPD09P06PLGBTMA1

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RS品番:
826-9074
メーカー型番:
SPD09P06PLGBTMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプP

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

9.7A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

TO-252

シリーズ

SIPMOS

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

400mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

14nC

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

42W

順方向電圧 Vf

-1.1V

動作温度 Max

175°C

長さ

6.73mm

幅

6.22 mm

高さ

2.41mm

規格 / 承認

No

自動車規格

AEC-Q101

RoHSステータス: 該当なし

Infineon SIPMOS® PチャンネルMOSFET


Infineon SIPMOS®小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。 SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。

· AEC Q101適合(データシートを参照してください)

· 無鉛めっき、RoHS対応

MOSFETトランジスタ、Infineon


Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。

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