Infineon MOSFET, タイプPチャンネル 60 V, 150 mA エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSC-70, BSS84PWH6327XTSA1

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RS品番:
145-8835
メーカー型番:
BSS84PWH6327XTSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプP

最大連続ドレイン電流Id

150mA

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

シリーズ

SIPMOS

パッケージ型式

SC-70

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

25Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

-1.12V

最大許容損失Pd

300mW

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

1nC

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

高さ

0.8mm

幅

1.25 mm

規格 / 承認

No

長さ

2mm

自動車規格

AEC-Q101

COO（原産国）:
CN

Infineon SIPMOS® PチャンネルMOSFET


Infineon SIPMOS®小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。 SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。

· AEC Q101適合(データシートを参照してください)

· 無鉛めっき、RoHS対応

MOSFETトランジスタ、Infineon


Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。

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