Infineon MOSFET, Nチャンネル, 20 V, 1.4 A, 240 mΩ, 0.6 nC, 3ピン, パッケージ：SC-70
- RS品番:
- 110-7113
- メーカー型番:
- BSS816NWH6327XTSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- 110-7113
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- BSS816NWH6327XTSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 1.4A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 20V | |
| パッケージ型式 | SC-70 | |
| シリーズ | OptiMOS 2 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 240mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -40°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 0.6nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | -8V, +8V | |
| 最大許容損失Pd | 500mW | |
| 順方向電圧 Vf | 1.1V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 幅 | 1.25mm | |
| 高さ | 800μm | |
| 長さ | 2mm | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 1.4A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 20V | ||
パッケージ型式 SC-70 | ||
シリーズ OptiMOS 2 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 240mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -40°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 0.6nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs -8V, +8V | ||
最大許容損失Pd 500mW | ||
順方向電圧 Vf 1.1V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 No | ||
幅 1.25mm | ||
高さ 800μm | ||
長さ 2mm | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
インフィニオンOptiMOS 2シリーズMOSFET、最大ドレイン-ソース間電圧 20V、最大連続ドレイン電流 1.4A - BSS816NWH6327XTSA1
このMOSFETは、自動車および産業用電子システムの低電圧スイッチング向けに設計された小型N‑チャンネルエンハンスメントモードデバイスです。幅広い温度範囲で動作し、小型サイズと中程度の電力処理能力が求められる表面実装用途に適しています。
特長：
• 240mΩ の低オン抵抗により、導通損失と発熱を低減
• 最大ドレイン電流 1.4A により、中程度の負荷スイッチングに対応
• ドレイン-ソース間定格電圧 20V により、一般的な車載電源レールに対応
• ゲート電荷 0.6nC により、高速なゲート駆動とスイッチング損失の低減が可能
• 最大許容電力 500mW により、軽負荷での連続動作に対応
• ゲート-ソース間電圧上限 8V により、過剰な駆動電圧から保護
• 最大ドレイン電流 1.4A により、中程度の負荷スイッチングに対応
• ドレイン-ソース間定格電圧 20V により、一般的な車載電源レールに対応
• ゲート電荷 0.6nC により、高速なゲート駆動とスイッチング損失の低減が可能
• 最大許容電力 500mW により、軽負荷での連続動作に対応
• ゲート-ソース間電圧上限 8V により、過剰な駆動電圧から保護
用途
• 車載センサーモジュールのスイッチング段に適合
• 12V 補助回路の負荷スイッチングに最適
• 小型フットプリントが求められるバッテリ管理周辺機器で使用
• インフォテインメントシステムの信号‑レベル電力制御に使用可能
• 低電流用小型モータ‑駆動ゲート段に適合
• 12V 補助回路の負荷スイッチングに最適
• 小型フットプリントが求められるバッテリ管理周辺機器で使用
• インフォテインメントシステムの信号‑レベル電力制御に使用可能
• 低電流用小型モータ‑駆動ゲート段に適合
高密度基板配置に適したパッケージは?
基板面積を最小限に抑え、自動実装に対応するSC-70表面実装パッケージで提供されます。
高い周囲温度でどのように動作しますか？
このデバイスは、-40°C～175°Cまでの温度範囲で動作するように設計されており、自動車のボンネット‑下環境で想定される過酷な熱環境での使用が可能です。
ゲートにはどのような駆動電圧範囲を適用する必要がありますか？
最大許容ゲート‑-‑ソース間電圧は 8V のため、この範囲内で駆動できるゲートドライバを選定する必要があります。
このデバイスは、スイッチング速度とゲート駆動エネルギーのバランスをどのように保ちますか？
標準ゲート電荷は 0.6nC で、スイッチングに必要なエネルギーが比較的小さく、繰り返しスイッチングするシステムの効率向上に寄与します。
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