Infineon MOSFET, タイプPチャンネル 20 V, 310 mA エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSC-70
- RS品番:
- 826-9991
- メーカー型番:
- BSS223PWH6327XTSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- 826-9991
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- BSS223PWH6327XTSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | タイプP | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 310mA | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 20V | |
| シリーズ | OptiMOS P | |
| パッケージ型式 | SC-70 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 2.1Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 250mW | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 0.5nC | |
| 順方向電圧 Vf | -1V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 12 V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 高さ | 0.8mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 幅 | 1.25 mm | |
| 長さ | 2mm | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| Distrelec Product Id | 304-44-427 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ タイプP | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 310mA | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 20V | ||
シリーズ OptiMOS P | ||
パッケージ型式 SC-70 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 2.1Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 250mW | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 0.5nC | ||
順方向電圧 Vf -1V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 12 V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
高さ 0.8mm | ||
規格 / 承認 No | ||
幅 1.25 mm | ||
長さ 2mm | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
Distrelec Product Id 304-44-427 | ||
Infineon OptiMOS Pシリーズ MOSFET、最大連続ドレイン電流310 mA、最大許容損失250 mW - BSS223PWH6327XTSA1
このMOSFETは、電子回路の重要な素子として、多くの用途でスイッチや増幅器として機能する。Pチャネル設計とエンハンスメントモード特性により、表面実装型電子システムでの効率的な電流制御が可能です。この部品は高温動作が可能なため、過酷な条件下での性能が不可欠な自動車や産業用途に適している。
特徴と利点
• 1.2Ωの低オン抵抗で効率を向上
• 150℃までの高温動作に対応
• 最大定格電圧20Vの堅牢な性能を提供
• 最小の遅延時間で高速スイッチングに最適
• 車載用AEC-Q101規格に準拠
• 低ゲートチャージ特性で安定した動作を実現
用途
• 自動車の駆動負荷
• 電気自動車用バッテリー管理システム
• 民生用電子機器の電源管理回路に搭載
• オーディオおよび電子機器用アンプに採用
• 効率的なスイッチングを必要とする様々なオートメーションシステムに適用
その部品が扱える最大電流は?
最大連続ドレイン電流は25℃で310mAであり、特定条件下での信頼性の高い動作を保証する。
この部品はどのように高温環境に最適化されているのですか?
動作温度は+150℃まで耐えられるように設計されており、厳しい用途での使用に適している。
このトランジスタはどのような取り付けに対応していますか?
この部品は表面実装用で、小型電子システムへの組み込みが容易です。
自動車規格に適合していますか?
AEC-Q101に準拠し、車載用の厳しい信頼性基準を満たしています。
Infineon OptiMOS ™ P チャネルパワーMOSFET
Infineon OptiMOS の機能 ™ P チャネルパワー MOSFET は、高品質の性能を発揮する強化機能を提供するように設計されています。超低スイッチング損失、オン状態抵抗、アバランシェ定格、自動車ソリューション向けの AEC 認定などの機能を備えています。DC-DC 、モータ制御、自動車、 eMobility などの用途に適しています。
エンハンスメントモード
アバランシェ定格
スイッチングロスと導電損失が低い
無鉛めっき、RoHS準拠
標準パッケージ
OptiMOS™ Pチャンネルシリーズ: -55 → +175 ℃の温度範囲
MOSFETトランジスタ、Infineon
Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。
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