2 Infineon MOSFET 分離式, タイプNチャンネル, 950 mA, 表面 20 V, 6-Pin エンハンスメント型, BSD235NH6327XTSA1 パッケージSC-88

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RS品番:
165-5872
メーカー型番:
BSD235NH6327XTSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

950mA

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

20V

パッケージ型式

SC-88

シリーズ

OptiMOS 2

取付タイプ

表面

ピン数

6

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

600mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

0.32nC

順方向電圧 Vf

0.9V

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

12 V

最大許容損失Pd

500mW

動作温度 Max

150°C

トランジスタ構成

分離式

幅

1.25 mm

長さ

2mm

規格 / 承認

No

高さ

0.8mm

1チップ当たりのエレメント数

2

自動車規格

AEC-Q101

COO（原産国）:
CN

Infineon OptiMOS™2パワーMOSFETファミリ


InfineonのOptiMOS™2 Nチャンネルファミリは、同社の電圧グループ内で最も低いON抵抗を実現しています。 Power MOSFETシリーズは、高周波通信、データ通信、太陽光発電、低電圧デバイス、サーバー電源を含む多くの用途で使用できます。 OptiMOS 2製品ファミリの範囲は20 V以上です。様々なパッケージタイプが揃っています。

MOSFETトランジスタ、Infineon


Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。

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