Infineon MOSFET, Nチャンネル, 分離式, 20 V, 950 mA, 600 mΩ, 0.32 nC, 6ピン, パッケージ:SC-88

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RS品番:
827-0115
メーカー型番:
BSD235NH6327XTSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流Id

950mA

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

20V

シリーズ

OptiMOS 2

パッケージ型式

SC-88

取付タイプ

表面

ピン数

6

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

600mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

500mW

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

-12V, +12V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

0.32nC

順方向電圧 Vf

0.9V

動作温度 Max

150°C

トランジスタ構成

分離式

規格 / 承認

No

高さ

0.8mm

長さ

2mm

幅

1.25mm

1チップ当たりのエレメント数

2

自動車規格

AEC-Q101

インフィニオン OptiMOS 2シリーズMOSFET、最大ドレイン-ソース間電圧 20V、最大ドレイン-ソース間抵抗 600mΩ - BSD235NH6327XTSA1


このMOSFETは、自動車および産業用環境におけるスイッチングや電源管理用途向けに設計されたコンパクト表面実装Nチャンネルトランジスタです。絶縁トランジスタ構成のエンハンスメントモードデバイスとして動作し、低ゲート電荷スイッチングと高温での耐熱性が必要な用途向けに設計されています。

特長:


• 最大ドレイン電圧20Vにより、安全な低電圧スイッチングが可能
• 600mΩ RDS(on)により、動作時の導通損失を低減
• 0.32 nCの標準ゲート電荷により、高速で低駆動エネルギーのスイッチングを実現
• 950mAの連続ドレイン電流により、中負荷電流をサポート
• 500mWの許容電力により、負荷がかかった状態でも持続的な動作が可能
• AEC Q101認証により、自動車用電子機器のテストに適合

用途


• 自動車用モジュールにおける電源レールスイッチングに最適
• 車体制御ユニットのロードスイッチに最適
• ゲートドライバおよび二次側電源段階に使用
• 多用途SMD設計におけるコンパクトな電源管理に使用可能
• センサーインターフェースにおけるデュアルチャネルスイッチングに適用

安全な動作を行うためには、ゲートドライブのどのような制限を遵守すべきでしょうか?


このデバイスは最大12Vのゲート-ソース電圧に対応

ゲート酸化ストレスを回避するため、ドライブ回路はこの制限内に保持されます。

熱範囲は設計の配置にどのように影響しますか?


-55°C~150°Cの温度範囲で動作するため、発熱コンポーネントの近くに配置できますが、500mWの損失を管理するためにはプリント基板銅面積とエアフローの熱配慮が必要です。

ダイには、いくつのディスクリート抵抗体がありますか?


このチップには2つの抵抗体が含まれており、1つのパッケージでペアスイッチングチャンネルが必要な場合に便利です。

どのような物理的なパッケージ制限が基板配置に影響を与えますか?


このコンポーネントは6ピンのSC-88パッケージで提供されているため、フットプリント計画には、小型SMDピンアレイとはんだフィレット用のクリアランスを収容する必要があります。

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