型番

Infineon MOSFET, Nチャンネル, 55 V, 42 A, 27 mΩ, 48 nC, 3ピン, パッケージ：TO-252

RS品番:: 215-2607
メーカー型番:: IRLR2905TRLPBF
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

Infineon MOSFET, Nチャンネル, 55 V, 42 A, 27 mΩ, 48 nC, 3ピン, パッケージ：TO-252

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RS品番:: 215-2607
メーカー型番:: IRLR2905TRLPBF
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

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すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	インフィニオン
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	N
	最大ドレイン-ソース間電圧(Vds)	55 V
	最大連続ドレイン電流(Id)	42 A
	最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds)	27 mΩ
	標準ゲートチャージ (Qg) @ Vgs	48 nC
	ピン数	3
	パッケージ型式	TO-252
	自動車規格	なし
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	順方向電圧 (Vf)	1.3 V
	最大ゲートソース電圧(Vgs)	20 V
	動作温度 (Max)	175 °C
	最大許容損失(Pd)	110 W
	動作温度 (Min)	-55 °C
	取付タイプ	表面
	シリーズ	HEXFET
	規格 / 承認	EIA-481, EIA-541

	すべて選択
	ブランドインフィニオン
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプ N
	最大ドレイン-ソース間電圧(Vds) 55 V
	最大連続ドレイン電流(Id) 42 A
	最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds) 27 mΩ
	標準ゲートチャージ (Qg) @ Vgs 48 nC
	ピン数 3
	パッケージ型式 TO-252
	自動車規格なし
	チャンネルモードエンハンスメント型
	順方向電圧 (Vf) 1.3 V
	最大ゲートソース電圧(Vgs) 20 V
	動作温度 (Max) 175 °C
	最大許容損失(Pd) 110 W
	動作温度 (Min) -55 °C
	取付タイプ表面
	シリーズ HEXFET
	規格 / 承認 EIA-481, EIA-541

The Infineon HEXFET Power MOSFET series has 55V maximum drain source voltage it is a single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package type. The Infineon series fifth generation HEXFET from International rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on resistance for Silicon area. This benefits, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFET are well known for, providing sufficient level device for, provides designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications. The D-pack is designed for surface mounting using vapour phase, infrared or wave soldering technique.

Advanced Process Technology

Ultra Low On-Resistance

Lead-Free

Fully avalanche rated

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Infineon MOSFET, Nチャンネル, 55 V, 42 A, 27 mΩ, 48 nC, 3ピン, パッケージ：TO-252

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