onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 45.8 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-247, FCH47N60NF
- RS品番:
- 864-7887
- メーカー型番:
- FCH47N60NF
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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- 864-7887
- メーカー型番:
- FCH47N60NF
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- onsemi
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 45.8A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 600V | |
| パッケージ型式 | TO-247 | |
| シリーズ | SupreMOS | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 65mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | ±30 V | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 368W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 121nC | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 高さ | 20.82mm | |
| 規格 / 承認 | RoHS Compliant | |
| 長さ | 15.87mm | |
| 幅 | 4.82 mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 45.8A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 600V | ||
パッケージ型式 TO-247 | ||
シリーズ SupreMOS | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 65mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートソース電圧Vgs ±30 V | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 368W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 121nC | ||
動作温度 Max 150°C | ||
高さ 20.82mm | ||
規格 / 承認 RoHS Compliant | ||
長さ 15.87mm | ||
幅 4.82 mm | ||
自動車規格 なし | ||
SupreMOS® MOSFET、Fairchild Semiconductor
Fairchildは、新世代の600 VスーパージャンクションMOSFET - SupreMOS®を発売します。
同社の低RDS(on)と総ゲート電荷量を組み合わせることで、Fairchild製の600 V SuperFET™ MOSFETよりも性能指数(FOM)が40%低くなります。 さらに、SupreMOSファミリは同じRDS(on)に対して低いゲート電荷量を実現するので、優れたスイッチング性能を発揮し、スイッチング損失と導電損失は20 %低くなります。この結果、効率は高くなります。
これらの特性により、電源はデスクトップPC向けのENERGY STAR® 80 PLUS Gold分類及びサーバー向けのPlatinum分類に適合します。
MOSFET トランジスタ、 ON Semi
ON Semi は、高電圧>（ 250 V ）<タイプと低電圧（ 250 V ）タイプを含む、充実した MOSFET デバイスポートフォリオを提供しています。高度なシリコン技術により、複数の業界標準に組み込まれ、熱耐性強化パッケージに収納された小さなダイサイズが実現します。
ON Semi MOSFET は、電圧スパイクの低減とオーバーシュート、ジャンクション容量の低減と逆回復電荷に対する設計の信頼性に優れており、追加の外部コンポーネントを排除してシステムの稼働時間を延長します。