Infineon MOSFET, タイプPチャンネル 30 V, 1.6 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-23

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール3000個入り) 小計：*

￥43,065.00

(税抜)

￥47,370.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2026年5月25日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
3000 - 12000￥14.355￥43,065
15000 - 27000￥14.208￥42,624
30000 - 72000￥13.929￥41,787
75000 - 147000￥13.65￥40,950
150000 +￥13.372￥40,116

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
165-6823
メーカー型番:
BSS308PEH6327XTSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプP

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

1.6A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

シリーズ

OptiMOS P

パッケージ型式

SOT-23

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

130mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

500mW

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

5nC

順方向電圧 Vf

-0.8V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

長さ

2.9mm

幅

1.3 mm

高さ

1mm

規格 / 承認

No

自動車規格

AEC-Q101

COO（原産国）:
MY

Infineon OptiMOS ™ P チャネルパワーMOSFET


Infineon OptiMOS の機能 ™ P チャネルパワー MOSFET は、高品質の性能を発揮する強化機能を提供するように設計されています。超低スイッチング損失、オン状態抵抗、アバランシェ定格、自動車ソリューション向けの AEC 認定などの機能を備えています。DC-DC 、モータ制御、自動車、 eMobility などの用途に適しています。

エンハンスメントモード

アバランシェ定格

スイッチングロスと導電損失が低い

無鉛めっき、RoHS準拠

標準パッケージ

OptiMOS™ Pチャンネルシリーズ: -55 → +175 ℃の温度範囲

MOSFETトランジスタ、Infineon


Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。

関連ページ