Infineon MOSFET, タイプPチャンネル, 30 V, 1.6 A, 130 mΩ, 5 nC, 3ピン, パッケージ：SOT-23

RS品番:: 165-6823
メーカー型番:: BSS308PEH6327XTSA1
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

Infineon MOSFET, タイプPチャンネル, 30 V, 1.6 A, 130 mΩ, 5 nC, 3ピン, パッケージ：SOT-23

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RS品番:: 165-6823
メーカー型番:: BSS308PEH6327XTSA1
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

データシート

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すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	インフィニオン
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプP
	最大連続ドレイン電流Id	1.6A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	30V
	シリーズ	OptiMOS P
	パッケージ型式	SOT-23
	取付タイプ	表面
	ピン数	3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	130mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	5nC
	最大ゲートソース電圧Vgs	-20V, +20V
	順方向電圧 Vf	-0.8V
	動作温度 Min	-55°C
	最大許容損失Pd	500mW
	動作温度 Max	150°C
	高さ	1mm
	規格 / 承認	No
	幅	1.3mm
	長さ	2.9mm
	自動車規格	AEC-Q101

	すべて選択
	ブランドインフィニオン
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプP
	最大連続ドレイン電流Id 1.6A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V
	シリーズ OptiMOS P
	パッケージ型式 SOT-23
	取付タイプ表面
	ピン数 3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 130mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 5nC
	最大ゲートソース電圧Vgs -20V, +20V
	順方向電圧 Vf -0.8V
	動作温度 Min -55°C
	最大許容損失Pd 500mW
	動作温度 Max 150°C
	高さ 1mm
	規格 / 承認 No
	幅 1.3mm
	長さ 2.9mm
	自動車規格 AEC-Q101

COO（原産国）:: MY

インフィニオン OptiMOS PシリーズMOSFET、最大ドレイン-ソース間電圧 30V、最大ドレイン-ソース間抵抗 130mΩ - BSS308PEH6327XTSA1

このMOSFETは、コンパクト電子機器における表面実装型のスイッチングおよび制御用に設計されたPチャンネルエンハンスメントデバイスです。過酷な環境に適した幅広い温度範囲で動作し、低電圧、中電流スイッチングが必要な場所で動作するように設計されています。このデバイスは、SOT-23パッケージで提供され、車載グレードの用途に対応しています。

特長：

• 130 mΩの低いオン抵抗により、導通損失を低減
• 低電圧システム向けのドレイン-ソース間耐圧30Vの定格
• 1.6Aの連続ドレイン電流により、中程度の負荷をサポート
• 5 nCの標準ゲート電荷により、より高速なゲートスイッチングが可能
• 最大ゲートソース電圧20Vにより堅牢なドライブマージンを実現
• 500mWの許容電力容量により、熱管理をサポート

用途

• 12V車載システムの負荷遮断に最適
• バッテリー保護および電源経路制御に最適
• DC-DCコンバーター入力ステージスイッチングに使用
• モジュールにおける信号レベル電源スイッチングに使用可能
• 小型表面実装電源基板に適合

動作中に許容できる温度範囲の上限と下限はどのくらいですか？

-55°C～150 °Cの温度範囲で動作することが規定されており、温度変動の激しい環境でも使用可能です。

どのようなパッケージと実装方式を採用していますか？

基板アセンブリへの表面実装用に設計されたSOT-23パッケージで提供されます。

ゲートドライブ設計に関して、このデバイスはどのように動作しますか？

最大VGS定格20V、標準ゲート電荷5nCで、高速スイッチングを実現するには、低い駆動能力と高速ゲートドライバが必要です。

このデバイスは車載用認定要件に適合していますか？

AEC‑Q101規格に準拠しているため、多くの自動車用電子設計に適合します。