2 onsemi パワーMOSFET 分離式, タイプNチャンネル, 3.5 A, 表面 60 V, 8-Pin エンハンスメント型, NDS9945 パッケージSOIC

ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋10個入り) 小計:*

¥2,202.00

(税抜)

¥2,422.20

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫限り
  • 2,210 は海外在庫あり
  • 200 2026年2月16日 に入荷予定(最終入荷)
単価
購入単位毎合計*
10 - 140¥220.20¥2,202
150 - 1190¥201.50¥2,015
1200 - 1590¥182.70¥1,827
1600 - 1990¥165.30¥1,653
2000 +¥146.40¥1,464

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
903-4374
メーカー型番:
NDS9945
メーカー/ブランド名:
onsemi
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

onsemi

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

3.5A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

SOIC

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

300mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

0.8V

動作温度 Min

150°C

最大許容損失Pd

2W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

12.9nC

トランジスタ構成

分離式

動作温度 Max

-55°C

規格 / 承認

No

3.9 mm

高さ

1.57mm

長さ

4.9mm

1チップ当たりのエレメント数

2

自動車規格

なし

強化モードデュアルMOSFET、Fairchild Semiconductor


強化モードの電界効果トランジスタは、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この超高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。

MOSFET トランジスタ、 ON Semi


ON Semi は、高電圧>( 250 V )<タイプと低電圧( 250 V )タイプを含む、充実した MOSFET デバイスポートフォリオを提供しています。高度なシリコン技術により、複数の業界標準に組み込まれ、熱耐性強化パッケージに収納された小さなダイサイズが実現します。

ON Semi MOSFET は、電圧スパイクの低減とオーバーシュート、ジャンクション容量の低減と逆回復電荷に対する設計の信頼性に優れており、追加の外部コンポーネントを排除してシステムの稼働時間を延長します。

関連ページ