2 onsemi パワーMOSFET 分離式, タイプNチャンネル, 3.5 A, 表面 60 V, 8-Pin エンハンスメント型, NDS9945 パッケージSOIC
- RS品番:
- 903-4374
- メーカー型番:
- NDS9945
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 10 - 140 | ￥204.50 | ￥2,045 |
| 150 - 1190 | ￥187.10 | ￥1,871 |
| 1200 - 1590 | ￥169.70 | ￥1,697 |
| 1600 - 1990 | ￥153.50 | ￥1,535 |
| 2000 + | ￥136.00 | ￥1,360 |
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- RS品番:
- 903-4374
- メーカー型番:
- NDS9945
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | パワーMOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 3.5A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| パッケージ型式 | SOIC | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 300mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | 150°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 12.9nC | |
| 最大許容損失Pd | 2W | |
| 順方向電圧 Vf | 0.8V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| トランジスタ構成 | 分離式 | |
| 動作温度 Max | -55°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 4.9mm | |
| 高さ | 1.57mm | |
| 幅 | 3.9 mm | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 2 | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ パワーMOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 3.5A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
パッケージ型式 SOIC | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 300mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min 150°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 12.9nC | ||
最大許容損失Pd 2W | ||
順方向電圧 Vf 0.8V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
トランジスタ構成 分離式 | ||
動作温度 Max -55°C | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 4.9mm | ||
高さ 1.57mm | ||
幅 3.9 mm | ||
1チップ当たりのエレメント数 2 | ||
自動車規格 なし | ||
強化モードデュアルMOSFET、Fairchild Semiconductor
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MOSFET トランジスタ、 ON Semi
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