2 onsemi パワーMOSFET 分離式, タイプNチャンネル, 4 A, 表面 30 V, 8-Pin エンハンスメント型 パッケージSOIC

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RS品番:
163-1128
メーカー型番:
NTMD4N03R2G
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

4A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

パッケージ型式

SOIC

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

80mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

2W

順方向電圧 Vf

0.82V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

8nC

動作温度 Min

150°C

動作温度 Max

-55°C

トランジスタ構成

分離式

長さ

5mm

規格 / 承認

No

幅

4 mm

高さ

1.5mm

1チップ当たりのエレメント数

2

自動車規格

AEC-Q101

COO（原産国）:
PH

デュアルNチャンネルMOSFET、ON Semiconductor


MOSFETトランジスタ、ON Semiconductor


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