2 onsemi パワーMOSFET 分離式, タイプNチャンネル, 4 A, 表面 30 V, 8-Pin エンハンスメント型 パッケージSOIC

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール2500個入り) 小計：*

￥120,500.00

(税抜)

￥132,550.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫情報に現在アクセスできません - 後ほどご確認ください
個
単価
購入単位毎合計*
2500 - 10000￥48.20￥120,500
12500 - 22500￥47.23￥118,075
25000 - 60000￥46.293￥115,733
62500 - 122500￥45.368￥113,420
125000 +￥44.452￥111,130

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
163-1128
メーカー型番:
NTMD4N03R2G
メーカー/ブランド名:
onsemi
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

onsemi

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

4A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

パッケージ型式

SOIC

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

80mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

0.82V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

8nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

150°C

最大許容損失Pd

2W

動作温度 Max

-55°C

トランジスタ構成

分離式

高さ

1.5mm

幅

4 mm

長さ

5mm

規格 / 承認

No

1チップ当たりのエレメント数

2

自動車規格

AEC-Q101

COO（原産国）:
PH

デュアルNチャンネルMOSFET、ON Semiconductor


MOSFETトランジスタ、ON Semiconductor


受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。


関連ページ