onsemi MOSFET, タイプPチャンネル 30 V, 8.8 A エンハンスメント型, はんだ, 8-Pin パッケージSOIC, SI4435DY

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梱包形態
RS品番:
903-4412
メーカー型番:
SI4435DY
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

チャンネルタイプ

タイプP

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

8.8A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

シリーズ

PowerTrench

パッケージ型式

SOIC

取付タイプ

はんだ

ピン数

8

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

2.5W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

17nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Max

175°C

長さ

4.9mm

規格 / 承認

No

幅

3.9 mm

高さ

1.57mm

自動車規格

なし

PowerTrench® PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor


PowerTrench® MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。

最新のPowerTrench® MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。 この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。

PowerTrench® MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。

MOSFET トランジスタ、 ON Semi


ON Semi は、高電圧>（ 250 V ）<タイプと低電圧（ 250 V ）タイプを含む、充実した MOSFET デバイスポートフォリオを提供しています。高度なシリコン技術により、複数の業界標準に組み込まれ、熱耐性強化パッケージに収納された小さなダイサイズが実現します。

ON Semi MOSFET は、電圧スパイクの低減とオーバーシュート、ジャンクション容量の低減と逆回復電荷に対する設計の信頼性に優れており、追加の外部コンポーネントを排除してシステムの稼働時間を延長します。

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