2 onsemi パワーMOSFET 分離式, タイプN, タイプPチャンネル, 3.9 A, 表面 30 V, 8-Pin エンハンスメント型, SI4532DY パッケージSOIC

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梱包形態
RS品番:
772-8938
メーカー型番:
SI4532DY
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

チャンネルタイプ

タイプN, タイプP

最大連続ドレイン電流Id

3.9A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

パッケージ型式

SOIC

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

190mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

150°C

最大許容損失Pd

2W

動作温度 Max

-55°C

トランジスタ構成

分離式

長さ

5mm

高さ

1.5mm

幅

4 mm

規格 / 承認

No

1チップ当たりのエレメント数

2

自動車規格

なし

強化モードデュアルMOSFET、Fairchild Semiconductor


強化モードの電界効果トランジスタは、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この超高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。

MOSFET トランジスタ、 ON Semi


ON Semi は、高電圧>（ 250 V ）<タイプと低電圧（ 250 V ）タイプを含む、充実した MOSFET デバイスポートフォリオを提供しています。高度なシリコン技術により、複数の業界標準に組み込まれ、熱耐性強化パッケージに収納された小さなダイサイズが実現します。

ON Semi MOSFET は、電圧スパイクの低減とオーバーシュート、ジャンクション容量の低減と逆回復電荷に対する設計の信頼性に優れており、追加の外部コンポーネントを排除してシステムの稼働時間を延長します。

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。


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