Vishay MOSFET, タイプPチャンネル 30 V, 8.1 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSOIC, SI4435DDY-T1-GE3

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梱包形態
RS品番:
710-3339
メーカー型番:
SI4435DDY-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプP

最大連続ドレイン電流Id

8.1A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

パッケージ型式

SOIC

シリーズ

Si4435DDY

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

24mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

2.5W

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

32nC

順方向電圧 Vf

-1.2V

動作温度 Max

150°C

高さ

1.5mm

幅

4 mm

規格 / 承認

No

長さ

5mm

自動車規格

なし

PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor


MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor


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