Infineon MOSFET, タイプPチャンネル 30 V, 5.8 A エンハンスメント型, 表面, 6-Pin パッケージTSOP, IRFTS9342TRPBF

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梱包形態
RS品番:
907-5151
メーカー型番:
IRFTS9342TRPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプP

最大連続ドレイン電流Id

5.8A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

シリーズ

HEXFET

パッケージ型式

TSOP

取付タイプ

表面

ピン数

6

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

66mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

-1.2V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

12nC

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

2W

動作温度 Max

150°C

幅

1.75 mm

規格 / 承認

No

高さ

1.3mm

長さ

3mm

Distrelec Product Id

304-44-469

自動車規格

なし

インフィニオンHEXFETシリーズ MOSFET、最大連続ドレイン電流5.8A、最大許容損失2W - IRFTS9342TRPBF


このMOSFETは、さまざまな用途で高効率を実現するように設計されており、高い性能と信頼性が求められる電子回路で重要な役割を果たしています。その低オン抵抗と大きな電流処理能力は、オートメーションや電気アプリケーションにおけるエネルギー効率とシステムの安定性に貢献します。

特徴と利点


• 低Rds(on)でエネルギー効率を向上

• 5.8Aの連続ドレイン電流サポートで効果的なパフォーマンスを実現

• 最大30Vのドレイン・ソース間電圧で耐久性を確保

• 面実装設計により、コンパクトで効率的なレイアウトが可能

• 55℃～+150℃の動作温度範囲で適応性を向上

用途


• バッテリー駆動DCモーター・インバーターに使用

• さまざまな回路でシステムまたは負荷のスイッチングに使用

• オートメーションシステム内のドライブ操作に適用

• パワー・マネージメント・システムに活用し、効率を向上

この部品は極端な温度下でどのように機能するのか？


55°Cから+150°Cの広い温度範囲で効率的に動作し、さまざまな環境での信頼性を保証します。

低オン抵抗の利点は何ですか？


低いRds(on)値は、アプリケーションでの電力損失を減少させ、全体的な効率と熱性能の向上につながる。

この装置はパルス電流に対応できますか？


そう、パルス状のドレイン電流を効果的に管理できるため、エレクトロニクスのダイナミック・アプリケーションに適しているのだ。

回路にはどのように取り付けるのですか？


このデバイスは表面実装アプリケーション用に設計されており、コンパクトなアセンブリとPCB上の効率的なスペース利用を容易にする。

このコンポーネントの取り扱いにはどのような注意が必要ですか？


ユーザは、電圧レベルに敏感であるため、指定された最大ゲート・ソース間電圧制限を遵守し、適切な取り扱いを確保する必要がある。

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。


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