Infineon MOSFET, タイプPチャンネル 60 V, 80 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263
- RS品番:
- 911-0711
- メーカー型番:
- SPB80P06PGATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | ￥271.25 | ￥271,250 |
| 2000 - 9000 | ￥270.859 | ￥270,859 |
| 10000 - 14000 | ￥270.478 | ￥270,478 |
| 15000 - 19000 | ￥270.079 | ￥270,079 |
| 20000 + | ￥269.698 | ￥269,698 |
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- RS品番:
- 911-0711
- メーカー型番:
- SPB80P06PGATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプP | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 80A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| シリーズ | SIPMOS | |
| パッケージ型式 | TO-263 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 23mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 最大許容損失Pd | 340W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 115nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 高さ | 4.57mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 10.31mm | |
| 幅 | 9.45 mm | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプP | ||
最大連続ドレイン電流Id 80A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
シリーズ SIPMOS | ||
パッケージ型式 TO-263 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 23mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
最大許容損失Pd 340W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 115nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 175°C | ||
高さ 4.57mm | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 10.31mm | ||
幅 9.45 mm | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
Infineon SIPMOS® PチャンネルMOSFET
Infineon SIPMOS®小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。 SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。
· AEC Q101適合(データシートを参照してください)
· 無鉛めっき、RoHS対応
MOSFETトランジスタ、Infineon
Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。