Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 1.6 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-23

ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール3000個入り) 小計:*

¥50,193.00

(税抜)

¥55,212.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 9,000 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
単価
購入単位毎合計*
3000 - 12000¥16.731¥50,193
15000 - 27000¥16.401¥49,203
30000 - 72000¥15.524¥46,572
75000 - 147000¥15.081¥45,243
150000 +¥14.639¥43,917

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
913-4054
メーカー型番:
IRLML0100TRPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

1.6A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

パッケージ型式

SOT-23

シリーズ

HEXFET

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

235mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

16 V

最大許容損失Pd

1.3W

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

2.5nC

順方向電圧 Vf

1.3V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

長さ

3.04mm

高さ

1.02mm

1.4 mm

自動車規格

なし

COO(原産国):
PH

NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon


InfineonのディスクリートHEXFET®パワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

MOSFETトランジスタ、Infineon


Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。

関連ページ