Microchip 2N7008 N チャンネルエンハンスメントモード（通常オフ）トランジスタは、垂直型 DMOS 構造と実績のあるシリコンゲート製造プロセスを採用しています。この組み合わせにより、バイポーラトランジスタの耐電力特性と、 MOS デバイス固有の高入力インピーダンス及び正の温度係数を兼ね備えたデバイスになっています。このデバイスには、熱暴走や熱によって誘発される二次降伏がありません。垂直型 DMOS FET は、超低しきい値電圧、高降伏電圧、高入力インピーダンス、低入力静電容量、高速スイッチングが求められる幅広いスイッチング用途や増幅用途に最適です。
