- RS品番:
- 917-1454
- メーカー型番:
- IXTN102N65X2
- メーカー/ブランド名:
- IXYS
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- IXTN102N65X2
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- IXYS
その他
詳細情報
NチャンネルパワーMOSFET、IXYS X2クラスシリーズ
IXYS X2クラスのパワーMOSFETシリーズでは、前世代のパワーMOSFETと比較すると、オン抵抗とゲート電荷量が大幅に低下しています。このため、損失量が低下し、操作効率が向上しています。 これらの頑丈なデバイスは真性ダイオードを搭載しているので、ハードスイッチングと共振モードの両方に適しています。 X2クラスのパワーMOSFETは、120 A @ 650 Vの定格電流を備えた、多様な業界標準パッケージに収納されており、絶縁タイプも用意されています。 代表的な用途には、DC-DCコンバータ、AC / DCモータドライブ、スイッチモード / 共振モード電源、DCチョッパ、ソーラーインバータ、温度 / 照明制御があります。
超低RDS (オン)及びQG (ゲート電荷量)
真性整流ダイオード
低真性ゲート抵抗
低パッケージインダクタンス
産業用の標準パッケージ
真性整流ダイオード
低真性ゲート抵抗
低パッケージインダクタンス
産業用の標準パッケージ
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFETトランジスタ、IXYS
IXYSの先進のディスクリートパワーMOSFETデバイス製品
仕様
特性 | |
---|---|
チャンネルタイプ | N |
最大連続ドレイン電流 | 76 A |
最大ドレイン-ソース間電圧 | 650 V |
シリーズ | X2-Class |
パッケージタイプ | SOT-227 |
実装タイプ | スクリュー マウント |
ピン数 | 4 |
最大ドレイン-ソース間抵抗 | 30 mΩ |
チャンネルモード | エンハンスメント型 |
最大ゲートしきい値電圧 | 5V |
最低ゲートしきい値電圧 | 3V |
最大パワー消費 | 595 W |
トランジスタ構成 | シングル |
最大ゲート-ソース間電圧 | -30 V, +30 V |
標準ゲートチャージ @ Vgs | 152 nC @ 10 V |
長さ | 38.23mm |
動作温度 Max | +150 °C |
1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
幅 | 25.42mm |
トランジスタ素材 | Si |
順方向ダイオード電圧 | 1.4V |
高さ | 9.6mm |
動作温度 Min | -55 °C |
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