IXYS MOSFET, タイプNチャンネル 500 V, 46 A エンハンスメント型, パネル, 4-Pin パッケージSOT-227
- RS品番:
- 686-7868
- メーカー型番:
- IXTN46N50L
- メーカー/ブランド名:
- IXYS
ボリュームディスカウント対象商品
1個小計：*
￥10,035.00
(税抜)
￥11,038.50
(税込)
￥3,000円を超える注文については、送料無料
一時的に在庫切れ
- 9 は海外在庫あり
- 10 は 2026年4月15日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 |
|---|---|
| 1 - 1 | ￥10,035 |
| 2 + | ￥9,991 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 686-7868
- メーカー型番:
- IXTN46N50L
- メーカー/ブランド名:
- IXYS
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | IXYS | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 46A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 500V | |
| シリーズ | Linear | |
| パッケージ型式 | SOT-227 | |
| 取付タイプ | パネル | |
| ピン数 | 4 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 160mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 260nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 1.5V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 30 V | |
| 最大許容損失Pd | 700W | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 幅 | 25.07 mm | |
| 高さ | 9.6mm | |
| 長さ | 38.2mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド IXYS | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 46A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 500V | ||
シリーズ Linear | ||
パッケージ型式 SOT-227 | ||
取付タイプ パネル | ||
ピン数 4 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 160mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 260nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 1.5V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 30 V | ||
最大許容損失Pd 700W | ||
動作温度 Max 150°C | ||
幅 25.07 mm | ||
高さ 9.6mm | ||
長さ 38.2mm | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
NチャンネルパワーMOSFET、IXYSリニアシリーズ
NチャンネルパワーMOSFETは、リニア動作に特化した設計になっています。このデバイスは、順方向バイアス安全動作領域(FBSOA)の拡張によって耐久性及び信頼性が高まっています。
MOSFETトランジスタ、IXYS
IXYSの先進のディスクリートパワーMOSFETデバイス製品