Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 9.7 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-220
- RS品番:
- 919-4876
- メーカー型番:
- IRF520NPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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|---|---|---|
| 50 - 200 | ￥57.68 | ￥2,884 |
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| 500 - 1200 | ￥52.94 | ￥2,647 |
| 1250 - 2450 | ￥51.56 | ￥2,578 |
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- RS品番:
- 919-4876
- メーカー型番:
- IRF520NPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 9.7A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 100V | |
| パッケージ型式 | TO-220 | |
| シリーズ | HEXFET | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 200mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 順方向電圧 Vf | 1.3V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 25nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 48W | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 8.77mm | |
| 長さ | 10.54mm | |
| 幅 | 4.69 mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 9.7A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V | ||
パッケージ型式 TO-220 | ||
シリーズ HEXFET | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 200mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
順方向電圧 Vf 1.3V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 25nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 48W | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 8.77mm | ||
長さ 10.54mm | ||
幅 4.69 mm | ||
自動車規格 なし | ||
インフィニオンHEXFETシリーズ MOSFET、最大連続ドレイン電流9.7A、最大許容損失48W - IRF520NPBF
このMOSFETは高度なHEXFET技術を利用し、様々なアプリケーションに高性能を提供します。連続ドレイン電流能力は9.7A、最大ドレイン・ソース間電圧は100Vで、電子回路に適した部品である。そのエンハンスメント・モード設計は、多様な環境での効率的な動作を保証し、オートメーションやエレクトロニクス分野の専門家にとって実用的な選択肢となっている。
特徴と利点
• 9.7Aの大電流容量がパフォーマンスを向上
• 過酷な条件下でも機能性を発揮する堅牢な設計
• 200mΩの低オン抵抗で電力損失を最小化
• 高速スイッチング機能で効率を向上
• TO-220ABパッケージと互換性があり、簡単に取り付け可能
用途
• オートメーション・システムにおける電力管理
• 切替 電気回路
• 効率向上のためのモーター駆動回路
• 高周波 エレクトロニクス
低オン抵抗はパフォーマンスにどのような影響を与えますか？
低オン抵抗は発熱を抑え、効率を向上させ、エネルギー損失を最小限に抑えることで、パワー・アプリケーションにおける総合的な性能を向上させる。
温度範囲の意味は？
動作温度範囲が広いため、さまざまな環境で安定した性能を発揮し、高温と低温の両方のアプリケーションに効果的に対応します。
この部品は大電流の短いパルスに対応できますか？
最大38Aのパルスドレイン電流に対応し、電子回路の過渡状態に適している。
取り付けの際に注意すべき点は？
動作中、特に高負荷条件下での放熱を効果的に管理するため、データシートに明記された適切なヒートシンクを確保してください。
高速スイッチング条件下でのデバイスの性能は？
その高速スイッチング速度は、迅速な応答時間を必要とするアプリケーションでの効率的な動作をサポートし、最新の電子設計に汎用的な選択肢を提供します。