4 DiodesZetex パワーMOSFET フルブリッジ, タイプP, タイプNチャンネル, 3.1 A, 表面 30 V, 8-Pin エンハンスメント型

ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール1000個入り) 小計:*

¥172,405.00

(税抜)

¥189,646.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2026年4月16日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
単価
購入単位毎合計*
1000 - 4000¥172.405¥172,405
5000 - 9000¥169.87¥169,870
10000 - 24000¥167.334¥167,334
25000 - 49000¥164.799¥164,799
50000 +¥162.263¥162,263

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
922-8594
メーカー型番:
ZXMHC3A01T8TA
メーカー/ブランド名:
DiodesZetex
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

DiodesZetex

チャンネルタイプ

タイプP, タイプN

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

最大連続ドレイン電流Id

3.1A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

330mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

3.9nC

動作温度 Min

150°C

最大許容損失Pd

1.7W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

順方向電圧 Vf

0.95V

動作温度 Max

-55°C

トランジスタ構成

フルブリッジ

長さ

6.7mm

規格 / 承認

MIL-STD-202, UL 94V-0, RoHS, AEC-Q101, J-STD-020

3.7 mm

高さ

1.6mm

1チップ当たりのエレメント数

4

自動車規格

なし

COO(原産国):
DE

補助強化モードMOSFET Hブリッジ、Diodes Inc.


MOSFETトランジスタ、Diodes Inc.


関連ページ