Infineon 評価ボード ゲートドライバモジュール, 評価ボード, MOSFET 1ED3491MX12M, モータ 用, EVAL1ED3491MX12MTOBO1

Infineon EVAL-1ED3491MX12Mは、ゲートドライバIC (1ED3491MU12M)を2個搭載したハーフブリッジ構成で、Si MOSFET、IGBT、SiC MOSFETなどのパワースイッチを駆動します。スイッチタイプは自由に選択できます。このボードのサイズは、電源スイッチを組み込んでいない状態で85x55x15mmです。TRENCHSTOP IGBT IKW40N120H3又はCoolSiC MOSFET IMW120R030M1Hを推奨します。このボードは、ダブルパルステストや評価に最適です。低電圧供給インターフェースは、パルスジェネレータ、マイクロコントローラ、またはその他の適切なデジタル回路によって制御することができます。評価ボードには、一次側と二次側の電源が実装されています。

Infineon EVAL-1ED3491MX12Mは、ゲートドライバIC (1ED3491MU12M)を2個搭載したハーフブリッジ構成で、Si MOSFET、IGBT、SiC MOSFETなどのパワースイッチを駆動します。スイッチタイプは自由に選択できます。このボードのサイズは、電源スイッチを組み込んでいない状態で85x55x15mmです。TRENCHSTOP IGBT IKW40N120H3又はCoolSiC MOSFET IMW120R030M1Hを推奨します。このボードは、ダブルパルステストや評価に最適です。低電圧供給インターフェースは、パルスジェネレータ、マイクロコントローラ、またはその他の適切なデジタル回路によって制御することができます。評価ボードには、一次側と二次側の電源が実装されています。

160 °C (±10 °C)で加熱シャットダウン

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