インフィニオン 開発ボード, 評価ボード, IGBT 、 SiC MOSFET 用, EVAL1ED3251MC12HTOBO1
- RS品番:
- 232-5725
- メーカー型番:
- EVAL1ED3251MC12HTOBO1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- EVAL1ED3251MC12HTOBO1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| 併用可能製品 | IGBT 、 SiC MOSFET | |
| キットの分類 | 評価ボード | |
| キット名 | Evaluation Board For EiceDRIVER | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
併用可能製品 IGBT 、 SiC MOSFET | ||
キットの分類 評価ボード | ||
キット名 Evaluation Board For EiceDRIVER | ||
Infineon の評価ボードは、ハーフブリッジ構成で、 2 レベルのスルーレート制御対応ゲートドライバ IC 1ED3251MC12H とアクティブ Miller クランプを備えています。このボードでは、スルーレート制御スイッチングスキームを評価できます。スイッチタイプを自由に選択できます。TRENCHSTOP ™ IGBT IKQ75N120CT2 をお勧めします。
標準的なシンク Peak 出力電流: 8 A
絶対最大出力供給電圧: 40 V
最大伝搬遅延: 110 ns (標準) 35 ns 入力フィルタ
高いコモンモード過渡耐性: CMTI >200 kV/ μ s
短絡クランプ及びアクティブシャットダウン
絶対最大出力供給電圧: 40 V
最大伝搬遅延: 110 ns (標準) 35 ns 入力フィルタ
高いコモンモード過渡耐性: CMTI >200 kV/ μ s
短絡クランプ及びアクティブシャットダウン
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