Infineon SRAM CY7C1049GN-10VXI, 4 MB, 512k x 16 Bit, 10 ns, 36-Pin

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4個小計 (スティック詰め)*

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梱包形態
RS品番:
182-3386P
メーカー型番:
CY7C1049GN-10VXI
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

SRAM

メモリサイズ

4MB

構成

512k x 16 Bit

ワード数

512K

1ワード当たりのビット数

8

最大ランダムアクセス時間

10ns

タイミングタイプ

非同期

取付タイプ

表面

パッケージ型式

SOJ

ピン数

36

高さ

0.12mm

規格 / 承認

RoHS

幅

0.4 mm

長さ

0.93mm

COO（原産国）:
US
CY7C1049GNは、高性能CMOS高速静的RAMデバイスで、8ビットあたり512Kワードとして整理されています。データ書き込みは、チップイネーブル (CE) および書き込みイネーブル入力 (WE) を低く確定することで実行され、I/O0からI/O7までのピンでデータを提供し、A0からA18までのピンでアドレスを提供します。データリードは、チップイネーブル(CE)および出力イネーブル(OE)の入力をLOWと確認し、アドレスラインに必要なアドレスを提供することで実行されます。I/Oライン(I/O0からI/O7まで)で読み取りデータにアクセスできます。すべてのI/O(I/O0からI/O7まで)は、次のイベントの間に高インピーダンス状態に配置されます。デバイスは選択を解除されます(CE HIGH)。制御信号OEは非確認されます。

ハイスピード

tAA = 10 ns

低アクティブ電流およびスタンバイ電流

アクティブ電流: ICC = 38 mA (標準)

スタンバイ電流：ISB2 = 6 mA（標準）

動作電圧範囲: 1.65 ～ 2.2 V、2.2 ～ 3.6 V、および

4.5 V～5.5 V

1.0 Vデータ保持

TTL互換の入力および出力

鉛フリー36ピンSOJおよび44ピンTSOP IIパッケージ

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