ルネサス エレクトロニクス, SRAM, 8Mbit, 512 k x 16, 45ns, 44-Pin
- RS品番:
- 250-0193
- メーカー型番:
- RMLV0816BGSB-4S2#AA0
- メーカー/ブランド名:
- ルネサス エレクトロニクス
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- RS品番:
- 250-0193
- メーカー型番:
- RMLV0816BGSB-4S2#AA0
- メーカー/ブランド名:
- ルネサス エレクトロニクス
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | ルネサス エレクトロニクス | |
| メモリサイズ | 8Mbit | |
| 構成 | 512 k x 16 | |
| ワード数 | 512k | |
| 1ワード当たりのビット数 | 16bit | |
| 最大ランダムアクセス時間 | 45ns | |
| ローパワー | あり | |
| 実装タイプ | 表面実装 | |
| パッケージタイプ | TSOP | |
| ピン数 | 44 | |
| 寸法 | 18.41 x 10.16 x 1mm | |
| 高さ | 1mm | |
| 動作供給電圧 Max | 3.6 V | |
| 長さ | 18.41mm | |
| 幅 | 10.16mm | |
| 動作供給電圧 Min | 2.4 V | |
| 動作温度 Min | -40 °C | |
| 動作温度 Max | +85 °C | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド ルネサス エレクトロニクス | ||
メモリサイズ 8Mbit | ||
構成 512 k x 16 | ||
ワード数 512k | ||
1ワード当たりのビット数 16bit | ||
最大ランダムアクセス時間 45ns | ||
ローパワー あり | ||
実装タイプ 表面実装 | ||
パッケージタイプ TSOP | ||
ピン数 44 | ||
寸法 18.41 x 10.16 x 1mm | ||
高さ 1mm | ||
動作供給電圧 Max 3.6 V | ||
長さ 18.41mm | ||
幅 10.16mm | ||
動作供給電圧 Min 2.4 V | ||
動作温度 Min -40 °C | ||
動作温度 Max +85 °C | ||
ルネサスエレクトロニクスの8 Mビット静的RAMは、高性能の先進のLPSRAMテクノロジーによって製造されています。高密度、高性能、低消費電力を実現しています。低スタンバイ消費電力を実現します。
均等なアクセスとサイクル時間、
データ入力と出力の共通化、
直接TTL対応、
バッテリバックアップ動作
データ入力と出力の共通化、
直接TTL対応、
バッテリバックアップ動作