ルネサス SRAM RMLV0416EGSB-4S2#AA1, 4 MB, 256k x 16, 45 ns, 44-Pin

ボリュームディスカウント対象商品

1個小計:*

¥697.00

(税抜)

¥766.70

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
3,000円未満(税抜)のご注文は、送料500円です。
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2026年7月07日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
単価
1 - 6¥697
7 - 64¥668
65 - 79¥637
80 - 99¥608
100 +¥578

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
250-0190
メーカー型番:
RMLV0416EGSB-4S2#AA1
メーカー/ブランド名:
ルネサス エレクトロニクス
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

ルネサス エレクトロニクス

メモリサイズ

4MB

プロダクトタイプ

SRAM

構成

256k x 16

ワード数

256K

1ワード当たりのビット数

16

最大ランダムアクセス時間

45ns

最小電源電圧

2.7V

取付タイプ

表面

最大電源電圧

3.6V

パッケージ型式

TSOP

動作温度 Min

-40°C

ピン数

44

動作温度 Max

85°C

10.16 mm

長さ

18.41mm

シリーズ

RMLV0416E

規格 / 承認

RoHS

高さ

1mm

供給電流

10mA

自動車規格

なし

4 MbアドバンスドLPSRAM (256キロワード x 16ビット)


RMLV0416Eシリーズは、ルネサスの高性能アドバンスドLPSRAMテクノロジーによって製造された、262、144ワード x 16ビットの4 Mビット静的RAMファミリです。RMLV0416Eシリーズは、高密度、高性能、低消費電力を実現しています。RMLV0416Eシリーズは、低スタンバイ消費電力を備えているため、バッテリバックアップシステムに適しています。44ピンTSOP (II)又は48ボールファインピッチボールグリッドアレイで提供されます。

主な特徴


  • シングル3 V電源: 2.7 → 3.6 V

  • アクセス時間: 45 ns (最大)

  • 消費電流: スタンバイ: 0.3 μA (標準)

  • 同等のアクセス及びサイクル時間

  • 共通データ入力及び出力: 3ステート出力

  • すべての入力及び出力に直接TTL対応

  • バッテリバックアップ動作

  • 関連ページ