ルネサス エレクトロニクス, SRAM, 4Mbit, 256k x 16, 45ns, 44-Pin
- RS品番:
- 250-0190
- メーカー型番:
- RMLV0416EGSB-4S2#AA1
- メーカー/ブランド名:
- ルネサス エレクトロニクス
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|---|---|
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| 7 - 64 | ￥616 |
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| 80 - 99 | ￥561 |
| 100 + | ￥533 |
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- RS品番:
- 250-0190
- メーカー型番:
- RMLV0416EGSB-4S2#AA1
- メーカー/ブランド名:
- ルネサス エレクトロニクス
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | ルネサス エレクトロニクス | |
| メモリサイズ | 4Mbit | |
| 構成 | 256k x 16 | |
| ワード数 | 256k | |
| 1ワード当たりのビット数 | 16bit | |
| 最大ランダムアクセス時間 | 45ns | |
| ローパワー | あり | |
| 実装タイプ | 表面実装 | |
| パッケージタイプ | TSOP | |
| ピン数 | 44 | |
| 寸法 | 18.41 x 10.16 x 1mm | |
| 高さ | 1mm | |
| 動作供給電圧 Max | 3.6 V | |
| 動作温度 Min | -40 °C | |
| 長さ | 18.41mm | |
| 動作供給電圧 Min | 2.7 V | |
| 幅 | 10.16mm | |
| 動作温度 Max | +85 °C | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド ルネサス エレクトロニクス | ||
メモリサイズ 4Mbit | ||
構成 256k x 16 | ||
ワード数 256k | ||
1ワード当たりのビット数 16bit | ||
最大ランダムアクセス時間 45ns | ||
ローパワー あり | ||
実装タイプ 表面実装 | ||
パッケージタイプ TSOP | ||
ピン数 44 | ||
寸法 18.41 x 10.16 x 1mm | ||
高さ 1mm | ||
動作供給電圧 Max 3.6 V | ||
動作温度 Min -40 °C | ||
長さ 18.41mm | ||
動作供給電圧 Min 2.7 V | ||
幅 10.16mm | ||
動作温度 Max +85 °C | ||
4 MbアドバンスドLPSRAM (256キロワード x 16ビット)
RMLV0416Eシリーズは、ルネサスの高性能アドバンスドLPSRAMテクノロジーによって製造された、262、144ワード x 16ビットの4 Mビット静的RAMファミリです。RMLV0416Eシリーズは、高密度、高性能、低消費電力を実現しています。RMLV0416Eシリーズは、低スタンバイ消費電力を備えているため、バッテリバックアップシステムに適しています。44ピンTSOP (II)又は48ボールファインピッチボールグリッドアレイで提供されます。
主な特徴
- シングル3 V電源: 2.7 → 3.6 V
- アクセス時間: 45 ns (最大)
- 消費電流: スタンバイ: 0.3 μA (標準)
- 同等のアクセス及びサイクル時間
- 共通データ入力及び出力: 3ステート出力
- すべての入力及び出力に直接TTL対応
- バッテリバックアップ動作