ルネサス, SRAM 4Mbit, 512 k x 8ビット, 44-Pin 71V424S10PHG

ルネサス電子の静的RAMは、4,194,304ビットの高速静的RAMで、512 K x 8として整理されています。 高性能で信頼性の高いCMOSテクノロジーを使用して製造されています。この最先端技術は、革新的な回路設計技術と組み合わせて、高速メモリニーズに対するコスト効果の高いソリューションを提供します。

出力イネーブルピンを備え、5 nsまでの速度で動作し、アドレスアクセス時間は10 nsまでの速度で動作します。
IDT71V424のすべての双方向入力 / 出力はTTL互換です。
動作にクロックやリフレッシュを必要としない完全静的非同期回路を使用します。
ノイズを低減するためのJEDECセンター電源 / GNDピンアウトを備えています。
チップ選択から低消費電力を提供します。
-40 °C → +85 °Cの産業用温度範囲は、選択した速度に対応しています。