ルネサス エレクトロニクス, SRAM, 4Mbit, 512 k x 8ビット, 10ns, 44-Pin

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梱包形態
RS品番:
250-3461
メーカー型番:
71V424S10PHG
メーカー/ブランド名:
ルネサス エレクトロニクス
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ブランド

ルネサス エレクトロニクス

メモリサイズ

4Mbit

構成

512 k x 8ビット

ワード数

512k

1ワード当たりのビット数

8bit

最大ランダムアクセス時間

10ns

ローパワー

あり

タイミングタイプ

非シンクロナス

実装タイプ

表面実装

パッケージタイプ

TSOP-44

ピン数

44

寸法

18.41 x 10.16 x 1mm

動作供給電圧 Max

3.6 V

高さ

1mm

10.16mm

長さ

18.41mm

動作温度 Min

-0 °C

動作温度 Max

+70 °C

動作供給電圧 Min

3 V

ルネサス電子の静的RAMは、4,194,304ビットの高速静的RAMで、512 K x 8として整理されています。 高性能で信頼性の高いCMOSテクノロジーを使用して製造されています。この最先端技術は、革新的な回路設計技術と組み合わせて、高速メモリニーズに対するコスト効果の高いソリューションを提供します。

出力イネーブルピンを備え、5 nsまでの速度で動作し、アドレスアクセス時間は10 nsまでの速度で動作します。
IDT71V424のすべての双方向入力 / 出力はTTL互換です。
動作にクロックやリフレッシュを必要としない完全静的非同期回路を使用します。
ノイズを低減するためのJEDECセンター電源 / GNDピンアウトを備えています。
チップ選択から低消費電力を提供します。
-40 °C → +85 °Cの産業用温度範囲は、選択した速度に対応しています。

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。


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