ルネサス, SRAM 4Mbit, 512 k x 8ビット, 44-Pin 71V424S12PHGI

ルネサス電子の静的RAMは、4,194,304ビットの高速RAMで、512 K x 8として整理されています。 高性能で信頼性の高いCMOSテクノロジーを使用して製造されています。この最先端技術は、革新的な回路設計技術と組み合わせて、高速メモリニーズに対するコスト効果の高いソリューションを提供します。

出力イネーブルピンを備え、最大5 nsで動作し、アドレスアクセス時間は最大10 nsです。
IDT71V424のすべての双方向入力 / 出力はTTL互換です。
JEDECセンター電源 / GNDピンアウトを提供し、ノイズを低減し、
チップデセレクトによる低消費電力を実現します。
-40°C → +85 °Cの産業用温度範囲は、選択した速度に対応しています。