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詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	ルネサスエレクトロニクス
	メモリサイズ	4MB
	プロダクトタイプ	SRAM
	ワード数	256K
	1ワード当たりのビット数	16
	最大ランダムアクセス時間	10ns
	アドレスバス幅	16bit
	最小電源電圧	3V
	タイミングタイプ	非同期
	取付タイプ	表面
	最大電源電圧	3.6V
	パッケージ型式	TSOP
	動作温度 Min	-40°C
	ピン数	44
	動作温度 Max	85°C
	シリーズ	71V416
	規格 / 承認	No
	高さ	1mm
	長さ	18.41mm
	自動車規格	なし
	供給電流	200mA

	すべて選択
	ブランドルネサスエレクトロニクス
	メモリサイズ 4MB
	プロダクトタイプ SRAM
	ワード数 256K
	1ワード当たりのビット数 16
	最大ランダムアクセス時間 10ns
	アドレスバス幅 16bit
	最小電源電圧 3V
	タイミングタイプ非同期
	取付タイプ表面
	最大電源電圧 3.6V
	パッケージ型式 TSOP
	動作温度 Min -40°C
	ピン数 44
	動作温度 Max 85°C
	シリーズ 71V416
	規格 / 承認 No
	高さ 1mm
	長さ 18.41mm
	自動車規格なし
	供給電流 200mA

Renesas Electronics 71V416 シリーズ 3.3 V CMOS SRAM は、 256 K x 16 で構成されています。71V416 の双方向入出力はすべて LVTTL 互換で、単一の 3.3 V 電源で動作します。リードカウントは 44 、 TSOP パッケージタイプです。SRAM は I 温度グレードです。

JEDEC Center Power / GND ピン配列でノイズを低減

アクセス時間とサイクル時間の均等化 - 商用及び産業用： 10/12/15 ns

チップ選択 x 1 と出力イネーブルピン x 1

双方向のデータ入出力を直接実行

LVTTL 互換

ルネサス SRAM 71V416S10PHGI, 4 MB, 256 k x 16 Bit, 10 ns, 44-Pin

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