ルネサス SRAMメモリ 71V016SA12PHGI, 1 MB, 64k x 16, 12 ns, 44-Pin

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梱包形態
RS品番:
254-4963
メーカー型番:
71V016SA12PHGI
メーカー/ブランド名:
ルネサス エレクトロニクス
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ブランド

ルネサス エレクトロニクス

メモリサイズ

1MB

プロダクトタイプ

SRAMメモリ

構成

64k x 16

ワード数

65536 Words

1ワード当たりのビット数

16

最大ランダムアクセス時間

12ns

アドレスバス幅

16bit

最小電源電圧

3V

タイミングタイプ

非同期

最大電源電圧

3.6V

動作温度 Min

-40°C

動作温度 Max

85°C

ピン数

44

長さ

7mm

規格 / 承認

JEDEC

高さ

7mm

シリーズ

71V016SA

自動車規格

なし

供給電流

170mA

ルネサスエレクトロニクス非同期静的RAMは、1,048,576ビットの高速静的RAMで、64K x 16として整理されています。高性能と高信頼性のCMOS技術を使用して製造されています。この最先端の技術は、革新的な回路設計技術と組み合わせて、高速メモリニーズに対するコスト効果の高いソリューションを提供します。出力イネーブルピンを備え、最大5 nsで動作し、アドレスアクセス時間は最大10 nsです。この製品の双方向入力 / 出力はすべてLVTTL互換で、単一の3.3 V電源から動作します。完全静的な非同期回路を使用し、動作にクロックやリフレッシュが不要です。JEDEC標準44ピンプラスチックSOJ、44ピンTSOPタイプII、48ボールプラスチック7 x 7 mm FBGAにパッケージされています。

64K x 16高度な高速CMOS静的RAM

1チップセレクトプラス1出力有効ピン

チップディセレクトによる低消費電力

上部及び下部のバイトを有効にするピン

3.3V 単一電源

44ピンプラスチックSOJ、44ピンTSOP、48ボールプラスチックFBGAパッケージを用意

産業用温度範囲(-40 → +85 °C)を選択した速度に対応

緑色の部品を用意(注文情報を参照)

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