SRAM メモリ 1Mbit, 64K x 16

ルネサスエレクトロニクス非同期静的RAMは、1,048,576ビットの高速静的RAMで、64K x 16として整理されています。高性能で信頼性の高いCMOSテクノロジーを使用して製造されています。この最先端の技術は、革新的な回路設計技術と組み合わせて、高速メモリニーズに対するコスト効果の高いソリューションを提供します。出力イネーブルピンを備え、最大5 nsで動作し、アドレスアクセス時間は最大10 nsです。この製品の双方向入力 / 出力はすべてLVTTL互換で、単一の3.3 V電源から動作します。完全静的な非同期回路を使用し、動作にクロックやリフレッシュが不要です。JEDEC標準44ピンプラスチックSOJ、44ピンTSOPタイプII、48ボールプラスチック7 x 7 mm FBGAにパッケージされています。

64 K x 16高度な高速CMOSスタティックRAM、1つのチップ選択、1つの出力イネーブルピン、チップディセレクトによる低消費電力、上部及び下部のバイトイネーブルピン、シングル3.3 V電源、44ピンプラスチックSOJ、44ピンTSOP、48ボールプラスチックFBGAパッケージで使用可能、産業用温度範囲(-40 → +85 °C)で使用可能、選択した速度のグリーン部品は、注文情報を参照してください。