ルネサス エレクトロニクス, SRAM メモリ, 4Mbit, 256K x 16, 12ns

ルネサスエレクトロニクスの非同期静的RAMセンターpwr & gndピンアウト4,194,304ビットの高速静的RAMは、256 K x 16として整理されています。高性能で信頼性の高いCMOSテクノロジーを使用して製造されています。この最先端のテクノロジーは、革新的な回路設計技術と組み合わせて、高速メモリニーズに対するコスト効果の高いソリューションを提供します。出力イネーブルピンを備え、最大5 nsで動作し、アドレスアクセス時間は最大10 nsです。44ピン、400 milプラスチックSOJ及び44ピン、400 mil TSOPタイプIIパッケージ及び48ボールグリッドアレイ、9 mm x 9 mmパッケージにパッケージされています。

256 K x 16高度な高速CMOS静的RAM JEDECセンターパワー / GNDピンアウトでノイズを軽減1つのチップセレクト及び1つの出力によるピンイネーブル化 双方向データ入力 / 出力、直接LVTTL互換、チップディスセレクトによる低消費電力、上部 / 下部バイトのイネーブルピンシングル3.3 V電源、44ピン、400 milプラスチックSOJパッケージ、44ピン、400 mil TSOPタイプIIパッケージ、48ボールグリッドアレイ、9 mm x 9 mmパッケージを用意しています。緑色の部品を用意(注文情報を参照)