SRAM メモリ 1Mbit, 64K x 16

ルネサスエレクトロニクス非同期静的RAMは、1,048,576ビットの高速静的RAMで、64K x 16として整理されています。高性能で信頼性の高いCMOSテクノロジーを使用して製造されています。この最先端の技術は、革新的な回路設計技術と組み合わせて、高速メモリニーズに対するコスト効果の高いソリューションを提供します。出力イネーブルピンを備え、最大5 nsで動作し、アドレスアクセス時間は最大10 nsです。この製品の双方向入力 / 出力はすべてLVTTL互換で、単一の3.3 V電源から動作します。完全静的な非同期回路を使用し、動作にクロックやリフレッシュが不要です。JEDEC標準44ピンプラスチックSOJ、44ピンTSOPタイプII、48ボールプラスチック7 x 7 mm FBGAにパッケージされています。

64K x 16高度な高速CMOS静的RAM 1チップセレクトプラス1出力イネーブルピン 双方向データ入力 / 出力 直接LVTTL対応 チップディスセレクトによる低消費電力 上部 / 下部バイトイネーブルピン シングル3.3 V 電源 44ピンプラスチックSOJ、44ピンTSOP、48ボールプラスチックFBGAパッケージで使用可能 産業用温度範囲 (-40 → +85 °C) で選択可能な速度に応じて緑色の部品を用意(注文情報を参照)