ローム ツェナーダイオード, シングルダイオード, Vz 8.2 V, 1000 mW, 60 Ω, 1 μA, 2ピン, PMDE
- RS品番:
- 780-656P
- メーカー型番:
- JMZVTR8.2B
- メーカー/ブランド名:
- ローム
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- RS品番:
- 780-656P
- メーカー型番:
- JMZVTR8.2B
- メーカー/ブランド名:
- ローム
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | ローム | |
| 標準ツェナー電圧 Vz | 8.2V | |
| プロダクトタイプ | ツェナーダイオード | |
| ダイオード構成 | シングルダイオード | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| 取付タイプ | 表面実装 | |
| 最大許容損失Pd | 1000mW | |
| パッケージ型式 | PMDE | |
| ツェナータイプ | シリコン平面 | |
| ピン数 | 2 | |
| テスト電流 It | 5mA | |
| 最大ツェナーインピーダンス | 60Ω | |
| 最大逆漏れ電流 | 1μA | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 長さ | 2.3mm | |
| 高さ | 1mm | |
| 規格 / 承認 | RoHS Compliant | |
| シリーズ | JMZVT Series | |
| 幅 | 1.4mm | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド ローム | ||
標準ツェナー電圧 Vz 8.2V | ||
プロダクトタイプ ツェナーダイオード | ||
ダイオード構成 シングルダイオード | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
取付タイプ 表面実装 | ||
最大許容損失Pd 1000mW | ||
パッケージ型式 PMDE | ||
ツェナータイプ シリコン平面 | ||
ピン数 2 | ||
テスト電流 It 5mA | ||
最大ツェナーインピーダンス 60Ω | ||
最大逆漏れ電流 1μA | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 150°C | ||
長さ 2.3mm | ||
高さ 1mm | ||
規格 / 承認 RoHS Compliant | ||
シリーズ JMZVT Series | ||
幅 1.4mm | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
ロームのツェナーダイオードは、コンパクトなPMDE表面実装パッケージで高性能電圧調整を実現します。ROHM Semiconductor製のこの1 W電源デバイスは、正確な信号クランプと電源安定化のために設計されています。
公称ツェナー電圧: 8.2 V
消費電力: 1000 mW
小型PMDE 2ピン表面実装パッケージ
最大ツェナーインピーダンス: 30 Ω