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    電源・パワースイッチIC

    電源スイッチICは、電源のON/OFFを制御すします。通常は電源ラインに組み込まれ、電源シーケンスを実行しながら無駄な消費電力を削減するため、電源ラインのON/OFFを制御します。また、回路に異常が発生した時に遮断を行うことで、電源ラインを保護することもできます。

    電源スイッチICの特長

    同一電圧の電源ラインに複数のデバイスが接続された場合には、スイッチICを組み込むことで各デバイスの動作/停止状態に合せて、電源ラインを個別にON/OFFすることができ、システムの消費電力を下げることができます。

    電源スイッチICには、突入電流を抑制するソフトスタート機能や過電流制限機能、外部からの過電圧に対する保護機能など、さまざまな機能が搭載されています。そのため、電源ラインの保護･制御に幅広く対応することができます。

    電源スイッチの種類

    電源スイッチICは大きく3種類に分けられます。

    外部電源スイッチ

    システム機器の外部電源入力に挿入されて電源のON/OFF、複数の電源ソースの切換えが可能です。

    ロードスイッチ

    システム機器内部においてそれぞれの負荷デバイスへの電源供給を個別にON/OFFすることができます。

    USBハイサイドスイッチ

    システム外部のUSB機器へ供給する電力を制御でき、USBスイッチとも呼ばれます。

    1749 製品が以下で見つかりました 電源・パワースイッチIC

    Toshiba
    ローサイド電源スイッチ
    ローサイド
    1.4Ω
    -
    40 V
    8
    -
    0.8W
    -
    -
    表面実装
    SSOP
    24
    +85 °C
    -40 °C
    13.5 x 6 x 1.5mm
    ローム
    ローサイド
    ローサイド
    -
    1
    32 V
    2
    6.5A
    -
    -
    -
    -
    HTSOP-J8
    8
    -
    -
    -
    Infineon
    ハイサイド
    ハイサイド
    150MΩ
    1
    45 V
    1
    0.0016A
    -
    -
    -
    -
    PG-SOT223-4
    4
    -
    -
    -
    Toshiba
    ハイサイド
    ハイサイド
    -
    8
    0.6 V 、 25 V
    -
    0.1mA
    -
    -
    -
    表面実装
    SOP
    18
    +85 °C
    -40 °C
    13 x 7 x 2mm
    Maxim Integrated
    -
    ハイサイド
    160mΩ
    -
    5.5 V
    2
    1.2A
    -
    -
    -
    表面実装
    SOIC
    8
    +85 °C
    -40 °C
    5 x 4 x 1.5mm
    ローム
    ローサイド
    ローサイド
    -
    1
    5.5 V
    1
    3A
    -
    -
    -
    -
    HTSOP-J8
    8
    -
    -
    -
    Infineon
    ハイサイド
    -
    -
    -
    5.5 V
    8
    625mA
    -
    -
    -
    -
    SOIC-36
    36
    -
    -
    -
    Microchip
    調整可能な電流制限
    ハイサイド
    75mΩ
    1
    5.5 V
    -
    300µA
    -
    -
    -
    表面実装
    SOT-23
    6
    +125 °C
    -40 °C
    2.9 x 1.75 x 1.3mm
    Texas Instruments
    高速PWMコントローラ
    ローサイド
    -
    -
    22 V
    2
    2A
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Texas Instruments
    USB電源
    ハイサイド
    95mΩ
    -
    5.5 V
    2
    1.25A
    -
    -
    -
    表面実装
    SOT-23
    5
    +85 °C
    -40 °C
    2.9 x 1.6 x 1.15mm
    onsemi
    -
    -
    10Ω
    -
    -
    1
    -
    -
    -
    -
    表面実装
    MSOP
    10
    +85 °C
    -40 °C
    3 x 3 x 1.1mm
    STMicroelectronics
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    表面実装
    TO-252
    3
    -
    -
    5.1 x 4.7 x 2.4mm
    Nexperia
    ハイサイド
    ハイサイド
    -
    1
    5.5 V
    2
    2A
    -
    -
    -
    -
    SOT753
    5
    -
    -
    -
    Toshiba
    -
    -
    3.25Ω
    7
    25 V
    -
    0.1mA
    1.47W
    -
    -
    表面実装
    P-SOP
    16
    +85 °C
    -40 °C
    10.1 x 4.04 x 1.55mm
    Texas Instruments
    負荷スイッチ
    ハイサイド
    79mΩ
    1
    18 V
    1
    2A
    -
    -
    -
    -
    SOT-23
    6
    -
    -
    -
    DiodesZetex
    ローサイドスイッチ
    ローサイド
    0.52Ω
    -
    60 V
    1
    1.1A
    -
    -
    -
    表面実装
    SOT-223
    3 + Tab
    +150 °C
    -40 °C
    6.7 x 3.7 x 1.65mm
    Microchip
    -
    -
    75mΩ
    -
    7.5 V
    1
    4A
    -
    -
    -
    表面実装
    SOIC
    8
    +85 °C
    -40 °C
    4.93 x 3.94 x 1.48mm
    Texas Instruments
    ハイサイド
    ハイサイド
    -
    1
    6.5 V
    1
    1700A
    -
    -
    -
    -
    SOT-23
    6
    -
    -
    -
    Microchip
    ハイサイド
    ハイサイド
    90mΩ
    1
    5.5 V
    2
    -
    -
    -
    -
    -
    SOIC
    8
    -
    -
    -
    onsemi
    ローサイド
    ローサイド
    -
    1
    23 V
    -
    180µA
    -
    -
    -
    -
    X2QFN12 の特長
    12
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