onsemi トランジスタ, MJB44H11G, 4-Pin, 20 A NPN, TO-263, 表面, 80 V dc

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梱包形態
RS品番:
184-4959
メーカー型番:
MJB44H11G
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

プロダクトタイプ

トランジスタ

最大DCコレクタ電流（Idc）

20A

最大コレクタエミッタ電圧 Vceo

80V dc

パッケージ型式

TO-263

取付タイプ

表面

トランジスタ構成

シングル

動作温度 Min

-55°C

最大エミッタベース電圧 VEBO

5V dc

最小DC電流ゲイン（hFE）

60

最大トランジション周波数フィート

1MHz

トランジスタ極性

NPN

最大許容損失Pd

50W

ピン数

4

動作温度 Max

150°C

幅

10.29 mm

長さ

11.05mm

規格 / 承認

No

高さ

4.83mm

自動車規格

AEC-Q101

PNP バイポーラパワートランジスタは、スイッチングレギュレータ、コンバータ、パワーアンプなどのアプリケーションにおける出力段やドライバ段などの汎用電力増幅およびスイッチング用に設計されています。MJB44H11 (NPN) および MJB45H11 (PnP) は、補完的なデバイスです。

PNPバイポーラパワートランジスタは、スイッチングレギュレータ、コンバータ、パワーアンプなどの用途で出力やドライバステージなどの汎用パワーアンプ及びスイッチング用に設計されています。MJB44H11 (NPN)及びMJB45H11 (PNP)は補完的なデバイスです。

低コレクタ - エミッタ飽和電圧 - VCE (SAT) = 1.0V (max) @8.0a

高速なスイッチング速度

相補ペアは設計を簡素化します

独自のサイトおよび制御変更要件を必要とする自動車およびその他のアプリケーションの NJV プレフィックス、 PPAP 対応

鉛フリー、ハロゲンフリー / BFRフリー

低コレクタエミッタ飽和電圧 - VCE(sat) = 1.0 V (最大) @ 8.0 A

高速スイッチング速度

補完ペアにより、設計を簡素化

独自のサイト及び制御変更要件を必要とする自動車及びその他の用途向けのNJVプレフィックス、PPAP対応

これらのデバイスは鉛フリー、ハロゲンフリー / BFRフリー

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

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