onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, 2ピン, -80 V, 表面

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RS品番:
186-7406
メーカー型番:
MJB45H11T4G
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

プロダクトタイプ

抵抗内蔵トランジスタ

最大コレクタエミッタ電圧 Vceo

-80V

取付タイプ

表面

トランジスタ構成

シングル

最大コレクタベース電圧 VCBO

80V

トランジスタ極性

PNP

最小DC電流ゲイン(hFE)

60

最大許容損失Pd

50W

最大エミッタベース電圧 VEBO

5V dc

動作温度 Max

150°C

ピン数

2

高さ

4.83mm

15.88mm

規格 / 承認

No

長さ

10.29mm

自動車規格

AEC-Q101

PNPバイポーラパワートランジスタは、スイッチングレギュレータ、コンバータ、パワーアンプなどの用途で出力やドライバステージなどの汎用パワーアンプ及びスイッチング用に設計されています。MJB44H11 (NPN)及びMJB45H11 (PNP)は補完的なデバイスです。

低コレクタエミッタ飽和電圧 -

VCE(sat) = 1.0 V (最大) @ 8.0 A

高速スイッチング速度

補完ペアにより、設計を簡素化

独自のサイト及び制御変更要件を必要とする自動車及びその他の用途向けのNJVプレフィックス、PPAP対応

PbFreeパッケージを用意

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