onsemi 抵抗内蔵トランジスタ SOT-363 NPN, 6-Pin, 表面 100 mA, 50 V

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RS品番:
186-7183
メーカー型番:
MUN5212DW1T1G
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

プロダクトタイプ

抵抗内蔵トランジスタ

パッケージ型式

SOT-363

最大コレクタエミッタ電圧 Vceo

50V

取付タイプ

表面

トランジスタ構成

デュアル

最大コレクタベース電圧 VCBO

50V

最大コレクタ・エミッタ飽和電圧 VceSAT

0.25V

トランジスタ極性

NPN

最大許容損失Pd

385mW

最大連続コレクタ電流 Ic

100mA

最小DC電流ゲイン（hFE）

60

動作温度 Max

150°C

ピン数

6

規格 / 承認

RoHS, Pb-Free

長さ

2.2mm

幅

2.2 mm

高さ

1.1mm

自動車規格

AEC-Q101

このシリーズのデジタルトランジスタは、シングルデバイスとその外部抵抗器バイアスネットワークの交換用に設計されています。バイアス抵抗器トランジスタ(BRT)には、2つの抵抗器、シリーズベース抵抗器、ベースエミッタ抵抗器で構成されたモノリシックバイアスネットワークを備えたシングルトランジスタが含まれています。BRTは、これらの個々のコンポーネントを1つのデバイスに統合することで排除します。BRTを使用することで、システムコストと基板スペースの両方を削減できます。

回路設計を簡素化

基板スペースを削減

コンポーネントカウントを削減

独自のサイト及び制御変更要件を必要とする自動車及びその他の用途向けのNSVプレフィックス、PPAP対応

これらのデバイスは鉛フリー、ハロゲンフリー / BFRフリー

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