ボリュームディスカウント対象商品
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 800 - 800 | ￥246.508 | ￥197,206 |
| 1600 - 7200 | ￥242.881 | ￥194,305 |
| 8000 - 11200 | ￥239.255 | ￥191,404 |
| 12000 - 15200 | ￥235.63 | ￥188,504 |
| 16000 + | ￥232.008 | ￥185,606 |
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- RS品番:
- 186-7398
- メーカー型番:
- FQB5N90TM
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| プロダクトタイプ | 抵抗内蔵トランジスタ | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| 最大許容損失Pd | 158W | |
| トランジスタ極性 | Nチャンネル | |
| ピン数 | 2 | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 高さ | 4.58mm | |
| 長さ | 10.67mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
プロダクトタイプ 抵抗内蔵トランジスタ | ||
取付タイプ 表面 | ||
最大許容損失Pd 158W | ||
トランジスタ極性 Nチャンネル | ||
ピン数 2 | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
高さ 4.58mm | ||
長さ 10.67mm | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- CN
この N チャンネル拡張モードパワー MOSFET は、独自の平面ストライプと DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この Advanced MOSFET 技術は、オン状態の抵抗を低減するように特別に調整されており、優れたスイッチング性能とアバランシェエネルギー強度を実現しています。Switched Mode
5.4A 、 900 V 、 RDS （ on ） = 2.3 Ω （最大） @ VGS = 10 V 、 ID = 2.7 A
低ゲート電荷量（標準） 31 nC ）
低 CRSs （標準） 13 pF ）
用途
照明