onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, 表面実装, FQB5N90TM

この N チャンネル拡張モードパワー MOSFET は、独自の平面ストライプと DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この Advanced MOSFET 技術は、オン状態の抵抗を低減するように特別に調整されており、優れたスイッチング性能とアバランシェエネルギー強度を実現しています。Switched Mode

5.4A 、 900 V 、 RDS （ on ） = 2.3 Ω （最大） @ VGS = 10 V 、 ID = 2.7 A
低ゲート電荷量（標準） 31 nC ）
低 CRSs （標準） 13 pF ）
用途
照明

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