onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, 表面実装, FQD18N20V2TM

この N チャンネル拡張モードパワー MOSFET は、独自の平面ストライプと DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この Advanced MOSFET 技術は、オン状態の抵抗を低減するように特別に調整されており、優れたスイッチング性能とアバランシェエネルギー強度を実現しています。Switched Mode

15 A 、 200 V 、 RDS （ on ） = 140 m Ω （最大） @ VGS = 10 V 、 ID = 7.5 A
低ゲート電荷量（標準） 20 nC ）
低 CRSs （標準） 25 pF ）
用途
LCD TV
PDP TV
LED テレビ

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