onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, 表面実装, FDMB3800N

これらの N チャンネルロジックレベル MOSFET は、 Advanced PowerTrench プロセスを使用して生産され、特にオン状態の抵抗を最小限に抑えながら、優れたスイッチング性能を維持するようにカスタマイズされています。これらのデバイスは、低インライン電力損失と高速スイッチングが必要な低電圧及びバッテリ駆動用途に最適です。

最大 rDS （ on ） = 40 m Ω @ VGS = 10 V 、 ID = 4.8 A
最大 rDS （ on ） = 51 m Ω @ VGS = 4.5 V 、 ID = 4.3 A
高速スイッチング速度
低ゲート電荷量
超低 rDS （ on ）向けの高性能トレンチテクノロジー
高電力及び高電流処理能力
用途
この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。