onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, 表面実装, FDG6321C

これらのデュアル N / P チャンネルロジックレベル強化モードフィールド効果トランジスタは、独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを採用して製造されています。この非常に高密度なプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えるように特別に調整されています。このデバイスは、バイポーラデジタルトランジスタ及び小型信号 MOSFET の代替品として、低電圧用途向けに特別に設計されています。バイアス抵抗が不要なため、このデュアルデジタル FET は複数の異なるデジタルトランジスタを異なるバイアス抵抗値に置き換えることができます。

N チャンネル
0.50 A 、 25 V
RDS （ ON ） = 0.45 Ω @ VGS = 4.5 V
RDS （ ON ） = 0.60 Ω @ VGS = 2.7 V
P チャネル
-0.41 A 、 -25 V
RDS （ ON ） = 1.1 Ω @ VGS = -4.5 V
RDS （ ON ） = 1.5 Ω @ VGS = -2.7 V
超小型パッケージ外形： SC70-6
非常<に低いレベルのゲートドライブ要件により、 3 V 回路で直接動作が可能（ VGS （ th ） 1.5 V ）です。
ESD 耐久性用のゲートソースツェナー（> 6 kV 人体モデル）。
用途
この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。